UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS

INSTITUTO DE FÍSICA

Declaração

Disciplina: Materiais Elétricos
Código: EMC0149
Carga Horária Total: 64h
Núcleo: Específico Obrigatório
Unidade: EMC

Ementa

Estudo de materiais e dispositivos condutores. Estudo dos materiais e dispositivos isolantes e magnéticos. Noções de física do estado sólido. Dispositivos semicondutores.

Programa

1. MATERIAIS CONDUTORES:
1.1. Metais;
1.2. Ligas metálicas;
1.3. Grafita;
1.4. Peças de contato;
1.5. Resistores;
1.6. Fusíveis;
1.7. Bimetais;
1.8. Condutividade elétrica;
1.9. Fatores que influenciam na resistência elétrica;
1.10. Termoeletricidade;
1.11. Supercondutividade;
1.12. Fator custo.
2. MATERIAIS ISOLANTES E MAGNÉTICOS:
2.1. Materiais isolantes: polarização e rigidez dielétrica;
2.2. Capacitância;
2.3. Perdas no dielétrico e fator de perdas;
2.4. Permissividade dielétrica;
2.5. Materiais dielétricos;
2.6. Capacitores;
2.7. Isoladores;
2.8. Eletretos e piezoeletricidade;
2.9. Isolamento de fios e cabos condutores;
2.10. Materiais magnéticos: conceito de domínio magnético;
2.11. Classificação dos materiais quanto ao comportamento magnético;
2.12. Magnetização, curva e laço de histerese;
2.13. Materiais e ligas ferromagnéticas;
2.14. Indutores;
2.15. Magnetoestricção.
3. TEORIA DOS SEMICONDUTORES:
3.1. Materiais semicondutores;
3.2. Fenômenos de transporte em semicondutores;
3.3. Semicondutor intrínseco;
3.4. Dopagem e semicondutores extrínsecos tipos P e N;
3.5. Efeito Hall;
3.6. Aplicação da energia térmica e luminosa em dispositivos semicondutores;
3.7. Corrente de difusão;
3.8. Junção PN.
4. DISPOSITIVOS A SEMICONDUTOR I – O DIODO DE JUNÇÃO BIPOLAR:
4.1. Polarização direta e reversa da junção PN;
4.2. Equação e característica tensão-corrente do diodo de junção bipolar;
4.3. Linha de carga;
4.4. Modelos do diodo para grandes sinais e baixas frequências;
4.5. Aplicações elementares de diodos a baixas frequências (circuitos DC e AC);
4.6. Modelos do diodo para pequenos sinais;
4.7. Capacitâncias de difusão e transição;
4.8. Tempos de comutação do diodo de junção;
4.9. Diodo Zener;
4.10. Componentes optoeletrônicos.
5. DISPOSITIVOS A SEMICONDUTOR II - O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO:
5.1. O transistor bipolar de junção (TBJ);
5.2. Polarizações do TBJ;
5.3. Modos de operação;
5.4. O Efeito Early;
5.5. Configurações do TBJ;
5.6. Modelos DC e análise de circuitos de polarização do TBJ;
5.7. Fototransistor.

Bibliografia Básica

NUSSBAUM, A. Comportamento Eletrônico e Magnético dos Materiais, São Paulo: Edgard Blücher, 1971.
MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica: Dispositivos e Circuitos, Vol. I, São Paulo: McGraw Hill, 1981.
SCHMIDT, W. Materiais Elétricos, Vol. I, II e III, Edgard Blucher.

Bibliografia Complementar

MILLMAN, J.; GRABEL, A. Microeletrônica, Vol. I, McGraw Hill, 1991.
MALVINO, A. P. Eletrônica, Vol. I e II, 4a ed., São Paulo: Makron Books, 1997.
MALVINO, A. P. Eletrônica, Vol. I, São Paulo: McGraw Hill, 1986.
SCHIMIDT, W. Materiais Elétricos, Vol. I e II, São Paulo: Edgard Blücher, 1979.
HALLIDAY, D.; RESNICK, R. Física II, Vol. 1, Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos.
SEARS, F. W.; ZEMANSKY, M. W. Física, Vol. 3, Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos.
SARAIVA, D. B. Materiais Elétricos, Rio de Janeiro: Editora Guanabara Dois, 1983.

Documento assinado eletronicamente por Rodrigo Massanori Vilela Utino, Secretário, em 11/11/2021, às 11:26, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no § 3º do art. 4º do Decreto nº 10.543, de 13 de novembro de 2020.

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